距離正式落戶江陰不到半年時間，位于霞客灣創(chuàng)智園的江蘇通用半導體有限公司就迎來了技術新突破——自研設備8英寸碳化硅晶錠激光剝離設備正式交付碳化硅襯底生產頭部企業(yè)廣州南砂晶圓半導體技術有限公司，并投入生產。“與傳統的線切割工藝相比，大幅降低了產品損耗，而設備售價僅僅是國外同類產品的三分之一，屬于國內首套。”董事長陶為銀介紹。

　　以激光為“刀”，向內“刻”出新質生產力。通用半導體的發(fā)展歷程由一場又一場激光微納加工領域的技術升維戰(zhàn)串聯而成：2020年，企業(yè)研發(fā)出國內首臺半導體激光隱形切割機；2022年，成功推出國內首臺18納米及以下SDBG激光隱切設備；2023年，成功研發(fā)國內首臺8英寸全自動SiC晶錠激光剝離產線；2024年，研制成功SDTT激光隱切設備……

　　“這個就是射頻芯片，切割要求是在6微米以內，相當于人類頭發(fā)絲的二十分之一。”在展廳內，陶為銀亮出了利用企業(yè)最新技術切割出的產品，并用手機放大后細細介紹，“傳統砂輪切割的‘刀’是砂輪，最薄也只能做到40微米，激光切割的‘刀’是光斑，通用可以做到0.5微米，完全可以輕松駕馭6微米以內的精度要求。”目前，江蘇通用的激光隱形切割設備已獲發(fā)明專利56件，實用新型專利226件。

　　碳化硅功率器件因其獨特的性能成為大功率半導體市場的“香餑餑”。然而，由于其硬度高、脆性高，使用傳統線切工藝切割、剝離碳化硅晶錠時，效率過低、損耗過高，導致襯底產能嚴重不足，生產成本居高不下。陶為銀介紹，早在一年多前，企業(yè)就把目光投向該領域，終于在今年7月，利用自主研發(fā)的碳化硅晶錠激光剝離設備，成功剝離出厚度僅為130微米的超薄碳化硅晶圓片。

　　向技術工藝高峰不斷攀登讓江蘇通用向“新”而行。“與線切一片需要2個多小時相比，我們的速度和良品率有了飛躍，極大地降低碳化硅襯底的生產成本。”但陶為銀并未止步于此，而是在設備的自動化上下功夫，碳化硅晶錠激光剝離設備實現了6英寸和8英寸晶錠的全自動分片，“晶錠上料、晶錠研磨、激光切割、晶片分離和晶片收集都由機器完成，去年我們剝離一片是30分鐘，今年是20分鐘。”

　　隨著一個接一個自研新設備陸續(xù)推向市場，通用半導體到明年的訂單都已飽和。“總部搬到江陰后，占比近40%的研發(fā)人員也轉戰(zhàn)江陰。”陶為銀介紹，創(chuàng)智園內的全部產線投入生產并把設備推向市場后，預計每年可剝離碳化硅襯底2萬片。就在距離園區(qū)數百米處，一片50畝熟地已準備就緒。陶為銀透露，通用半導體將進一步加快產業(yè)化進程。