日前，依托在江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司名下的江蘇省硅基電子材料重點實驗室獲批研發(fā)專項，獲批省財政廳、科技廳補助經費300萬元，以激勵其諸多科技成果轉化對行業(yè)的突出貢獻。作為全球領先的多晶硅鑄錠、切片研發(fā)制造商，保利協(xié)鑫未來將進一步拓寬學科領域，加強太陽能硅材料、硅基光電子材料等新型功能材料的研究，不斷提升科技成果轉化水平。

　　江蘇省硅基電子材料重點實驗室總面積3000平方米，其中千級潔凈室近200平方米，可對硅錠、硅片表面形貌結構、微區(qū)成分、晶向結構、表面反射特征、光致發(fā)光衰減及雜質元素等進行全面檢測分析，是一個太陽能級晶體硅材料長晶綜合研究平臺。2015年，經省科技廳批準籌建，位于徐州經濟技術開發(fā)區(qū)的協(xié)鑫硅材料公司開始著手打造硅基電子材料重點實驗室。經過三年多的建設，實驗室順利完成了各項考核任務，并于2018年4月通過省科技廳專家組驗收。通過大量研究成果轉化和生產工藝提升，目前多晶電池轉換效率提升至19.5%以上，單晶電池轉換效率提升至20.5%以上，處于行業(yè)領先水平。

　　依托于硅基電子材料重點實驗室的研發(fā)成果及眾多專家的一線攻關，保利協(xié)鑫“TS+”第二代黑硅片制絨成本降低約30%，以接近傳統(tǒng)制絨的成本獲取黑硅高轉化效率，電池效率增益將提升至0.5%，引領全國100余條黑硅產線、23吉瓦黑硅產能降本提效，未來“金剛線+黑硅+PERC”技術將成為300W+多晶組件的標配。此外，依托實驗室研發(fā)成果并提升長晶設備工藝，客戶反饋保利協(xié)鑫鑄錠單晶疊加PERC技術后與Cz單晶效率差僅為0.18%，高效鑄錠單晶組件(60片)可以封裝到310W，而成本大幅降低。利用鑄錠工藝特性和摻鎵技術，鑄錠單晶光衰比Cz單晶產品低0.5%以上。2011年至今，江蘇協(xié)鑫硅材料先后推出“鑫單晶”G系列、“鑫多晶”S系列高效硅片系列產品，持續(xù)引領全球光伏產業(yè)的高效潮流。